檢索結果:共4筆資料 檢索策略: "鄭逸琳".ccommittee (精準) and ckeyword.raw="化學機械拋光"
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本研究建立不同研磨液溫度,不同研磨液體積濃度及不同研磨液研磨顆粒直徑之無花紋研磨墊化學機械拋光矽晶圓的研磨移除深度理論模擬模式。並且先將矽晶圓浸泡在不同研磨液溫度下的不同體積濃度研磨液後,接著進行原…
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本研究先建立不同研磨液溫度及不同研磨液體積濃度之無花紋研磨墊化學機械拋光矽晶圓的研磨移除深度理論模擬模式。我們先將矽晶圓浸泡在不同溫度及不同體積濃度研磨液後,接著進行原子力顯微鏡實驗,計算得出浸泡不…
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本研究為探討搖臂式修整後拋光墊接觸面積對於CMP的影響,首先建立量測接觸面積之方法,接著探討修整與接觸面積之間的關係,利用拋光墊的粗糙度、承載面積比與接觸面積進行相關性分析,因為粗糙度與承載面積比經…
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半導體製造規格不斷的縮小、以及堆疊層數增加的情況下,使得化學機械拋光製程(Chemical Mechanical Polishing, CMP)對臨界尺寸控制需更加要求,因此在製程終點控制面臨重大挑…